L’Innofab de disseny i producció de xips al Parc de l'Alba comença a caminar
8 d'abril de 2025 a les 11:03El govern de la Generalitat ha aprovat la licitació, en un mes, del projecte d’enginyeria per a la creació del Centre de Recerca de Semiconductors, el projecte InnoFAB, que es situarà al Parc de l’Alba de Cerdanyola i que vol situar Catalunya com a líder en la producció de microxips amb una inversió total de 400 milions d'euros.
La portaveu del govern, Sílvia Paneque, ha anunciat l’acord del Consell Executiu d’avui, 8 d’abril, per a fer una primera aportació de 3’5 milions d’euros per a la licitació d’aquest projecte d’enginyeria en un termini d’un mes.
El projecte Innofab contempla la creació d’una infraestructura al Parc de l’Alba que comptarà amb 2.000 metres quadrats per dissenyar i preproduir xips de materials avançats. La previsió del Govern és que les obres durin dos anys.
▶Portaveu @SilviaPaneque: “El Govern ha aprovat un acord sobre el projecte InnoFAB, un centre català per al desenvolupament de semiconductors avançats. Es destinaran 60 M€ dels fons Next Generation a aquesta estratègia i aquest acord aprova una primera aportació de 3,5 M€”. pic.twitter.com/JZYLJgrwgu
— Govern de Catalunya (@govern) April 8, 2025
El projecte global d’Innofab contempla una inversió de 392 milions d’euros, i inclourà tecnologia per a la producció de prototips i sèries de baix volum, alhora que es connectarà amb el Sincrotró Alba.
L’objectiu és cobrir tot el procés “Lab-to-Fab” i permetre que les innovacions desenvolupades als laboratoris es converteixin en productes industrials. Es preveu que generi 200 llocs de treball directes i esdevingui un referent en el sector dels semiconductors.
La consellera ha anunciat també la creació d’una entitat pública per executar i gestionar el projecte i d'un grup de treball interdepartamental per impulsar-lo coordinat pel l’investigador de l'Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats (ICREA), José Antonio Garrido, membre de l'Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia i expert en xips fotònics.
La portaveu del govern apunta que l’Innofab forma part de l’anomenat Trident Innovador, una estratègia que agrupa també els projectes DARE i PIXEurope. Aquestes iniciatives comparteixen un objectiu comú: posicionar a Catalunya com a agent clau per reforçar la sobirania tecnològica europea en sectors estratègics com els semiconductors, la fotònica avançada i la computació d’alt rendiment i la intel·ligència artificial amb arquitectura oberta.
El projecte forma part de les iniciatives PERTE Chip i de l'European Chips Acts per reforçar l'autonomia estratègica de la Unió Europea, de manera que comptarà també amb finançament europeu provinent dels Fons Next Generation.